关于无功补偿的一些问题
1、先请教一个在低压母线上集中补偿的关于容量的问题：我的算法是先计算出低压母线上的所有设备的有功、无功，然后算出视在功率，然后根据需要达到的功率因数水平来计算无功补偿容量，可是看很多帖子上都说直接按照变压器容量的30%来补偿就行，不知道这个经验是为什么呢？例如：我们那个项目是四台2000KVA的变压器带四个母线，我算的无功补偿量是1840KVAr，分别在四段低压母线下面装了两个240KVAr的电容补偿柜，这样做应该没有问题吧？2、关于补偿范围的问题：在低压母线上装设电容柜，属于低压侧无功补偿，它补偿的范围在低压母线往上，而下面的设备不在补偿范围之中，是不是下面设备比如电机的功率因数还是没有变化啊，这个补偿范围的定义是指什么？3、还是一个范围的问题：假如单母线分段，正常运行时母联断路器分开，互为备用，那么加在A段下面的电容器是不是对B段起不到补偿作用？4：变压器都知道是无功负载，即吸收无功，那么变压器的无功损耗是不是就是它吸收的无功啊？这个和别人今天争论了很长时间，我认为是的，呵呵5：还有一个同步电机的无功出力的问题先不问了，呵呵，再思考思考
TCS-303复合投切开关总击穿
我们厂使用的是TCS-303复合投切开关,但是在实验的时候,总是有击穿的现象.还是单相击穿为主. 我们查了线也是正确的.现在怀疑是质量问题.但是厂家就是有说辞. 请问怎么回事? 以下是我在网上找的,是不是这个原因呢.复合开关投切电容装置（TSC+MSC） 复合开关投切装置工作原理是先由可控硅在电压过零时投入电容器，然后再由磁保持交流接触器触点并联闭合，可控硅退出，电容器在磁保持继电器触点闭合下运行。因而实现了投入无涌流运行不发热的目的。但为了降低成本，通常选用两只小功率，低耐压可控硅串联使用，利用可控硅20MS内电流可过载10倍额定电流的特性，过零投入，再用继电器闭合运行。而磁保持继电器触点偏小，且额定机械寿命一般为5万次，从目前投入市场使用情况看，可控硅时有击穿，磁保持继电器也有卡住不动作现象，工作不够稳定。 总的讲，优点：无涌流，不发热，节能。 缺点：价格为接触器的5倍，寿命短，故障较多，有漏电流，投切速度0.5S左右。