最近电容柜老是发现这几个问题1.现场无负载或轻载，电容器容量比较大，投入瞬间复合开关中的可控硅击穿，是否有个合闸过压问题2.有的电容柜中会接电抗器，电容投入后电压会增加，也容易造成可控硅的击穿。 因为我们在现场遇到这样的问题后，把电抗器去掉后怎么投切都没问题。因为可控硅的动态指标DV/DT无法测试，同行业的是否也存在这个问题，可控硅的这个指标怎么去定位，是否可以加强
最近电容柜老是发现这几个问题
1.现场无负载或轻载，电容器容量比较大，投入瞬间复合开关中的可控硅击穿，是否有个合闸过压问题
2.有的电容柜中会接电抗器，电容投入后电压会增加，也容易造成可控硅的击穿。
因为我们在现场遇到这样的问题后，把电抗器去掉后怎么投切都没问题。
因为可控硅的动态指标DV/DT无法测试，同行业的是否也存在这个问题，可控硅的这个指标怎么去定位，是否可以加强
2楼
最近电容柜老是发现这几个问题
1.现场无负载或轻载，电容器容量比较大，投入瞬间复合开关中的可控硅击穿，是否有个合闸过压问题
2.有的电容柜中会接电抗器，电容投入后电压会增加，也容易造成可控硅的击穿。
因为我们在现场遇到这样的问题后，把电抗器去掉后怎么投切都没问题。
因为可控硅的动态指标DV/DT无法测试，同行业的是否也存在这个问题，可控硅的这个指标怎么去定位，是否可以加强
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3楼
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4楼
你既然发现是可控硅的过电压击穿，那么你应该增加压敏电阻和阻容吸收回路啊 或者适当的提高可控硅的耐压值啊。
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5楼
重复发帖呀，你了解一下YHKCS系列复合开关吧，这个质量不错的，内部加了阻容吸收装置。
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6楼
我第一次发的时候显示出错，所以重发了一下 貌似删除不掉
吸收回路根据电容的容量不同来计算的么
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7楼
关键是压敏电阻的响应速度跟的上吗
还有体积问题
可控硅静态的耐压指标肯定跟的上的，主要是动态
一般像低压电容柜合闸时候的DV/DT需要多少V/US
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8楼
路过,顶一下吧....
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9楼
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10楼
可以适当的放大些可控硅的电压倍数，我是做可控硅的，有兴趣的话加我QQ:330673039
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