无功补偿 纯可控硅开关 和 复合开关
gsj211
gsj211 Lv.2
2010年07月26日 14:26:43
只看楼主

现在什么地方需要用可控硅模块直接做投切 什么地方用的是复合开关现在国内是做可控硅模块开关多还是复合开关多~~目前我们国内哪家做可控硅模块开关的做得好?

现在什么地方需要用可控硅模块直接做投切 什么地方用的是复合开关

现在国内是做可控硅模块开关多还是复合开关多~~

目前我们国内哪家做可控硅模块开关的做得好?
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a214174634
2010年07月26日 21:26:47
2楼
复合开关 带可控硅 以前做过 投切模块是一个工程师自己设计的 工程师是个教授 好像是北京航天航空大学的 具体你去查查看
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shenzhen_aut
2010年07月27日 16:21:48
3楼
转贴:来源“深圳市奥特电器有限公司网站”之“技术中心

很多朋友来电来信,询问复合开关的问题,更多的是问:用了复合开关是否就是动态补偿了?等等。

解答:
我们认为,这是对复合开关的认识有误区,就此对复合开关作简要说明:
复合开关,是可控硅与磁保持继电器(以下简称:继电器)并联的一种机电一体化开关,是电子技术与传统电力开关结合的产品。其设计意图是解决接触器存在的3个重大缺陷:
1、浪涌电流。
2、触点火花。
3、线包功耗。

其工作原理是:线路要接通时,可控硅先接通,可控硅接通后继电器跟着接通。继电器接通后可控硅就被短路了,控制信号就将可控硅断开,此后继电器一直工作。线路断开时类似,可控硅先接通(此时继电器仍然在接通状态),然后继电器断开,等继电器完全断开后,可控硅再断开。
因为可控硅通、断的时点可以精确控制,并达到零电流通、断的理想状况,从而在通、断时避免了浪涌电流的产生;
继电器的通、断,都是在可控硅工作时进行的,触点两端是在零电压下通、断的,避免了触点上产生的火花;
磁保持继电器只是在动作时需要能量驱动,不动作时靠磁场保持其通、断状态,线包不需要电流,所以功耗非常低。
由此,复合开关解决了接触器的3个重大缺陷。
但是,复合开关的主要电流通路是继电器,可控硅只是短时间的过渡,所以复合开关的开关速度是由继电器决定的,继电器的开关速度,决定了复合开关的工作速度。(复合开关中,可控硅散热器极小,不能长时间有电流,否则就会烧毁。)
继电器与接触器实际上是同类开关元件,其工作原理一样,只是应用领域不同而采用了不同的名称。一般的,信号系统中叫继电器,动力系统中叫接触器。接触器也可以叫大电流继电器。
既然是取代接触器的,动作速度也很接近,(继电器的开关频率比接触器略高一点,但仍然同处秒级)。所以复合开关是达不到动态补偿的速度要求的。也就是说使用了复合开关,不能等同于电容柜是动态补偿了,只是使电容补偿柜性能得以提升: 避免投切时的浪涌电流;避免了触点的电火花,不会出现触点烧结,不产生火花干扰;降低了接触器的功耗(接触器线包的功耗通常为6-10W,复合开关功耗仅仅0.1-0.3W)。
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shenzhen_aut
2010年07月27日 16:26:20
4楼


:time: :time:

真正动态补偿的,一定要用可控硅模块,常规补偿也可以用,只是成本太高。
复合开关是接触器的替代产品,用接触器的场合,就可以用复合开关。但是真正动态补偿,不能用它。
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gsj211
2010年07月30日 10:21:18
5楼
我才接触这个没多久 想请教一下
那这么看
动补 最好还是不计成本的用可控硅模块 好些是吗
这块只是对低压吧

高压动补 都是用的 可控硅模块还是 平板式的
貌似平板式的耐压高很多 模块的最多2000到顶了
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shenzhen_aut
2010年08月03日 11:44:17
6楼


:time: :time:

动补,国标是有规定的:
JB/T 9663-1999 (注:2010版即将公布)
《低压无功功率自动补偿控制器》
关于动补的摘要:

3.9 静态无功功率补偿 static reactive power compensation
一种延时时间较长(其延时时间一般不小于5 s)的无功功率补偿,它主要应用于负载变化较慢的场合。
3.10 动态无功功率补偿 dynamic reactive power compensation
一种延时时间很短(其延时时间一般不大于5 s)的无功功率补偿,它主要应用于负载变化较快的场合。

7.3.5 控制器输出电路的通断应具有延时特性。对于动态补偿控制器其延时时间应根据不同使用场合,按用户要求在20~2000 ms内选择;对于静态补偿控制器,其延时特性应是可调的,调整范围应不小于90 s。

按照7.3.5的要求,没有那个接触器或复合开关可以达到,所以动补一定要用可控硅等电子开关做投切开关的,不是成本问题,是技术要求。

对于10KV及以上的高压供电,我知道的是:除一些大型企业外,这些等级的用电相对较稳定,极少用动补。就是用动补,可控硅等半导体器件目前还不能使用,都用高压真空管开关。高压技术我不熟,说错了请指正。
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shenzhen_aut
2010年08月04日 12:21:35
7楼
这个帖子所反映的概念问题,目前行业内挺乱的,顶起来吧!
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xinag-bd2005
2010年08月04日 13:37:25
8楼

因为可控硅通、断的时点可以精确控制,并达到零电流通、断的理想状况,从而在通、断时避免了浪涌电流的产生
这句话还有模糊,请老师详解,谢谢!
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shenzhen_aut
2010年08月05日 15:27:30
9楼


:time: :time:
常说的零电流通断,是指可控硅通断动作的时刻,正好是其线路中电流为零的时刻。以无相移的电流波形为例:0、T1/2、T等时刻(或任何半周期点上),波形过零点,此刻电流为零。可控硅在此刻动作,或通或断,就实现了零电流投切。既然动作时线路中无电流,所以就不存在浪涌问题了。


[ 本帖最后由 shenzhen_aut 于 2010-8-5 15:31 编辑 ]
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shenzhen_aut
2010年08月05日 15:28:13
10楼


怎么发重了? :time: :time:
常说的零电流通断,是指可控硅通断动作的时刻,正好是其线路中电流为零的时刻。以无相移的电流波形为例:0、T1/2、T等时刻(或任何半周期点上),波形过零点,此刻电流为零。可控硅在此刻动作,或通或断,就实现了零电流投切。既然动作时线路中无电流,所以就不存在浪涌问题了。


[ 本帖最后由 shenzhen_aut 于 2010-8-5 15:31 编辑 ]
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salvation5147
2010年08月06日 09:45:59
11楼
学习学习!!!!
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