IS65LV256AL芯片解密技术方案开发
pcbmy01
pcbmy01 Lv.3
2012年10月31日 15:23:30
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ISSI系列芯片IS65LV256AL解密便是一典型案例。  IS65LV256AL 概述  ISSI的IS65LV256AL是一个32Kx8位字长的超高速,低功耗CMOS SRAM。IS65LV256AL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术,使得IS65LV256AL的存取时间可快至15ns。  当/CE处于高电平(未选中)时,IS65LV256AL进入待机模式。在此CMOS输入标准的待机模式下,功耗低至150 μW(典型值)。

ISSI系列芯片IS65LV256AL解密便是一典型案例。
  IS65LV256AL 概述
  ISSI的IS65LV256AL是一个32Kx8位字长的超高速,低功耗CMOS SRAM。IS65LV256AL采用ISSI公司的高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准加上创新的电路设计技术,使得IS65LV256AL的存取时间可快至15ns。
  当/CE处于高电平(未选中)时,IS65LV256AL进入待机模式。在此CMOS输入标准的待机模式下,功耗低至150 μW(典型值)。
  使用IS65LV256AL的低触发片选引脚(/CE),可以轻松实现存储器扩展。低触发写入使能引脚(/WE)将完全控制存储器的写入和读取。
  IS65LV256AL 特性
  ●高速率
  ·存取时间:20ns,45ns
  ·未被选中时自动掉电
  ·全静态操作:不需时钟或刷新
  ·输入输出兼容TTL标准
  ·独立3.3V供电
  ·三态输出
  ●低功耗操作
  ·CMOS低功耗操作
  - 17μW(典型值)CMOS待机模式
  - 50mW(典型值)操作功耗
  ●工业标准
  ·无铅环保
  ·可选工业级和军工级温度
  ·SOJ28,SOP28,TSOP1-28封装
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