【求助】请帮我分析电容补偿开关烧坏,可控硅击穿原因
姜振祥
姜振祥 Lv.13
2011年12月09日 08:44:29
只看楼主

今年做很多的补偿啊 采购了一种以往运行也很好的电容投切的复合开关(去年我大量的采用过啊)。我的电容补偿柜的结构式“微断+电子复合开关+限流电抗器+电容器”共补模式。电子复合开关的控制信号我采用的是直流12v。控制器我采用的是ABB RVC功率因数控制器。几天前我去现场投运设备和补偿设备啊。送电之前都检查完毕,然后送电,电子开关指示正常。然后调节控制器的参数,手动的投切电容器,12路循环一遍的时候 第10路的电子复合开关出现可控硅直接击穿了 下端电容器的指示灯常亮了。(过后我拆开电子复合开关看到了可控硅击穿了)。我跟换了新的电子复合开关啊。接着我又一次的手动循环投切电容,但是这次却又发现有两个回路的电子复合开关和上一个坏的电子复合开关一样的现象。(均是可控硅击穿),这个两个坏的回路是第一次手动投切正常的回路啊。

今年做很多的补偿啊 采购了一种以往运行也很好的电容投切的复合开关(去年我大量的采用过啊)。
我的电容补偿柜的结构式“微断+电子复合开关+限流电抗器+电容器”共补模式。
电子复合开关的控制信号我采用的是直流12v。控制器我采用的是ABB RVC功率因数控制器。
几天前我去现场投运设备和补偿设备啊。送电之前都检查完毕,然后送电,电子开关指示正常。然后调节控制器的参数,手动的投切电容器,12路循环一遍的时候 第10路的电子复合开关出现可控硅直接击穿了 下端电容器的指示灯常亮了。(过后我拆开电子复合开关看到了可控硅击穿了)。我跟换了新的电子复合开关啊。接着我又一次的手动循环投切电容,但是这次却又发现有两个回路的电子复合开关和上一个坏的电子复合开关一样的现象。(均是可控硅击穿),这个两个坏的回路是第一次手动投切正常的回路啊。
我的电容柜是16KVAR 系统电压是400V的 当时的额定电压也就396V左右啊。设备出厂之前都是送电过的。
大家帮我分析一下,什么原因能出现那种电子复合开关坏了,但还都是可控硅击穿啊。 因为我是共补所以电子复合开关内部采用是双元件啊 就是A,C两相是可控硅 B相是通过瓷片电容。就是这么一个结构啊,急求高手指点一下。现场的谐波电压畸变率不超过5%
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yuexingyufs
2011年12月15日 10:21:43
22楼
第5.1.2条 电容器装置的开关设备及导体等载流部分的长期允许电流,高压电容器不应小于电容器额定电流的1.35倍,低压电容器不应小于电容器额定电流的1.5倍。
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姜振祥
2011年12月23日 14:27:15
23楼
最后换上的那批开关现在也有点问题啊 但和上次可控硅击穿是不一样的毛病啊 这次是内部变压器的故障啊。晕啊 都赶上了。现在就得统一跟换电子复合开关了。
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cuiyongpeng604
2012年01月05日 11:30:05
24楼
我认为,你做无功补偿很有经验,肯定不是问题!以前你们也是这样做元器件的匹配,所以限流电抗器也不用取消!

个人认为,是可控硅质量问题,当然可控硅厂家是不会承认的,呵呵
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cdj23983
2012年01月11日 14:08:12
25楼
复合开关国内整体质量有待改进!理论很好工艺不行!
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ruby55
2012年08月26日 20:07:00
26楼
个人认为:第一:可控硅本身质量问题,第二,复合开关内部可控硅的阻容吸收电路中电容的容量不足。
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jackjack30173017
2012年08月28日 09:30:46
27楼
ABB 的RVC是继电器型的,有晶闸管型么,
另APFR内放电时间应不低于60S,
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shenzhen_aut
2012年08月30日 16:15:40
28楼
呵呵

好久没来,前面没看到这个帖子。其实很简单,产品质量问题,是设计不合理!

我们好几个的用户,也遇到这样的问题(他们被供电局指定用某品牌的复合开关),解决方法是:悄悄更换复合开关的品牌,换个好质量的品牌就没事了。(嘿嘿,换成我公司的了)

至于设计缺陷何在,嘿嘿,暂时保密,看看这里有无电子电路的高手出面解决。
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硕硕
2012年09月13日 11:04:40
29楼
我也碰到这种情况,后来发厂家检测去了,厂家换了新的之后就不了了之了
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fishbone_l
2013年09月19日 23:57:42
30楼
ABB 的RVC应该没有晶闸管型的
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geda2005
2013年09月22日 14:29:13
31楼
我觉得可能是可控硅的质量问题。按照你说的可控硅瞬间击穿是否该开率可控硅通态电流临界上升率的问题
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