【求助】请帮我分析电容补偿开关烧坏,可控硅击穿原因
姜振祥
姜振祥 Lv.13
2011年12月09日 08:44:29
只看楼主

今年做很多的补偿啊 采购了一种以往运行也很好的电容投切的复合开关(去年我大量的采用过啊)。我的电容补偿柜的结构式“微断+电子复合开关+限流电抗器+电容器”共补模式。电子复合开关的控制信号我采用的是直流12v。控制器我采用的是ABB RVC功率因数控制器。几天前我去现场投运设备和补偿设备啊。送电之前都检查完毕,然后送电,电子开关指示正常。然后调节控制器的参数,手动的投切电容器,12路循环一遍的时候 第10路的电子复合开关出现可控硅直接击穿了 下端电容器的指示灯常亮了。(过后我拆开电子复合开关看到了可控硅击穿了)。我跟换了新的电子复合开关啊。接着我又一次的手动循环投切电容,但是这次却又发现有两个回路的电子复合开关和上一个坏的电子复合开关一样的现象。(均是可控硅击穿),这个两个坏的回路是第一次手动投切正常的回路啊。

今年做很多的补偿啊 采购了一种以往运行也很好的电容投切的复合开关(去年我大量的采用过啊)。
我的电容补偿柜的结构式“微断+电子复合开关+限流电抗器+电容器”共补模式。
电子复合开关的控制信号我采用的是直流12v。控制器我采用的是ABB RVC功率因数控制器。
几天前我去现场投运设备和补偿设备啊。送电之前都检查完毕,然后送电,电子开关指示正常。然后调节控制器的参数,手动的投切电容器,12路循环一遍的时候 第10路的电子复合开关出现可控硅直接击穿了 下端电容器的指示灯常亮了。(过后我拆开电子复合开关看到了可控硅击穿了)。我跟换了新的电子复合开关啊。接着我又一次的手动循环投切电容,但是这次却又发现有两个回路的电子复合开关和上一个坏的电子复合开关一样的现象。(均是可控硅击穿),这个两个坏的回路是第一次手动投切正常的回路啊。
我的电容柜是16KVAR 系统电压是400V的 当时的额定电压也就396V左右啊。设备出厂之前都是送电过的。
大家帮我分析一下,什么原因能出现那种电子复合开关坏了,但还都是可控硅击穿啊。 因为我是共补所以电子复合开关内部采用是双元件啊 就是A,C两相是可控硅 B相是通过瓷片电容。就是这么一个结构啊,急求高手指点一下。现场的谐波电压畸变率不超过5%
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xing_zai
2011年12月13日 22:38:50
12楼
期待高手,
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wangweimin88
2011年12月13日 23:19:32
13楼
我这有专用电抗器
你那电抗器不行,我做复合开关的,用的材料都是和深圳华冠的一模一样,联系电话18675700686
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houzaixiang
2011年12月14日 09:18:06
14楼
楼主可能没有仔细阅读复合开关的说明书,我也经过此类故障,复合开关只是一个过渡 产品,其性能并不是资料上所讲的一样,里面的电子元件很是娇贵,在实验时,有一定的时间限制,复合开关的再次接通时间有规定,一般手动的是很快的,可能30多秒就是,造成开关的触发损坏等,像这种可控硅击穿,倒是少见。详细看网上的资料。不是什么新东西都是好的,它在一些场合还是有用武之地的,在一些工况变化大的场合不太适合,就说这些啦。
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mqli2004
2011年12月14日 09:34:14
15楼
不是做设备的,没遇到过这种情况,请高手!!
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hua841205
2011年12月14日 10:17:59
16楼
考虑过补偿容量和短路容量的匹配问题,检查下电容完好不啊, 没过零的的开关也会出现这事吧
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wangxf
2011年12月14日 15:24:19
17楼
赞同9楼的说法!
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姜振祥
2011年12月14日 17:14:43
18楼
看了给位的观点啊 我也分析了一下啊
可控硅击穿有两种形式啊 一个是过电压击穿 另一个就是过流击穿
具体的过电压有投入过电压和关断过电压。 过流和过热都属于过流击穿
现在厂家有这么一个说法啊,复合开关的下端我加了限流电抗器,建议我取消啊 理由是切除的时候产生关断过电压导致可控硅击穿啊(限流电抗是那种XD1型号的)。等我试验以后看看具体的效果在给各位一个具体的说法啊
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dxy13801441500
2011年12月14日 20:30:35
19楼
复合开关的容量与电容的容量匹配吗?16KVAR的电容,复合开关的额定电流可以选用50A的
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lhd7818
2011年12月14日 21:02:17
20楼
还是试验以后再看看情况
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姜振祥
2011年12月15日 09:42:50
21楼
看到各位的热心啊 我很感激啊 但是这个问题还有待深度挖掘啊。可控硅击穿的两种方式啊 一个提高可控硅的耐压能力啊 另一个就是提高可控硅的过电流能力啊。
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