两套电炉，一套360KW、380V，分4个区，因工厂条件限制，变压器是3000KVA，10KV/0.66，电柜进线660V，用可控硅来调压，输出380V来用的，4个区，星型接法，每组电流都正常，140A左右，运行了半个月，可控硅老是击穿，有时候放炮出来把可控硅上端的快速熔断器都打弧，排列是总断路器，4个接触器，4组快速熔断器，可控硅触发板，可控硅模块，第一次是接触器上端拉弧出来，把下面的熔断器，可控硅，线路板，全部烧掉，现在情况好点，就是炸可控硅。可控硅模块是300A,耐压2000V的，前几天换过原装西门康的模块330D/16E，一装就是炸。输出电压才150V左右。求高手分析分析，具体是哪方面的问题。从主变压器到这两个电柜的线都是400平方的铝线，从每个区到电炉的线都是95平方的铝线。我起初是以为可控硅的耐压不够，但西门康的也是一样烧。现在想做两台400KVA的干式变压器算了，660/380，或者哪位高手再帮我想想办法。。。
两套电炉，一套360KW、380V，分4个区，因工厂条件限制，变压器是3000KVA，10KV/0.66，电柜进线660V，用可控硅来调压，输出380V来用的，4个区，星型接法，每组电流都正常，140A左右，运行了半个月，可控硅老是击穿，有时候放炮出来把可控硅上端的快速熔断器都打弧，排列是总断路器，4个接触器，4组快速熔断器，可控硅触发板，可控硅模块，第一次是接触器上端拉弧出来，把下面的熔断器，可控硅，线路板，全部烧掉，现在情况好点，就是炸可控硅。可控硅模块是300A,耐压2000V的，前几天换过原装西门康的模块330D/16E，一装就是炸。输出电压才150V左右。求高手分析分析，具体是哪方面的问题。从主变压器到这两个电柜的线都是400平方的铝线，从每个区到电炉的线都是95平方的铝线。我起初是以为可控硅的耐压不够，但西门康的也是一样烧。现在想做两台400KVA的干式变压器算了，660/380，或者哪位高手再帮我想想办法。。。
12楼
可在电源进线端和每支可控硅上并联压敏电阻和阻容吸收电路.
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13楼
只击穿整流可控硅！夏天要注意散热 ，特别是散热水套。看看RC阻容吸收电路有没有问题？注意观察经常是坏那个地方的可控硅。我是做中频电炉的
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14楼
之前的380V电柜里边的可控硅上是有RC阻容吸收电路的，但这个柜上没有，660V进线，出线400V，可控硅300A，得如何选配，还有电源400V，300A的可控硅怎么选择RC原件。
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15楼
柜子所用的可控硅电流不大，不会用水冷的，风冷元件足够了。
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16楼
如何选RC，又不是一句二句能说清了，RC的参数，需要有电阻阻值、功率、电容容量、耐压组成。选择依据是上方电源变压器容量、可控硅额定电流、可控硅耐压等参数来计算。操作过电压源于开关动作时候上方变压器励磁电流变化产生的过电压，所以与上方变压器的容量、到可控硅柜子的距离有密切关系。计算的时候这些参数都要考虑。建议查一下可控硅变流技术的书籍吧。而且RC的参数是一个范围，选定了以后，还有根据实际的整流相数、负载的情况进行调整。理论上RC大些，对抑制操作过电压有好处，但又会影响系统调节的特性，所以要根据系统情况选择。
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本帖最后由 xuchaohua9953 于 2011-7-28 23:34 编辑 ]
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17楼
300A1600V可控硅 选阻容吸收电容CBB80 0.1UF/2500V（现在都用此种电容比CH82好不容易坏）电阻选无感绕线电阻 15欧100W 。电源是660V的话选电容耐压4KV
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18楼
现在的可控硅质量有很大差距，建议楼主用襄樊硅 台基 岘峰 硅海等 都不错。上整的太贵不建议用。
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19楼
你这个工况环境太差了，谐波比较大，造成电压非正玄输出，出现峰值电压高于可控硅的耐压，就会将其击穿，继而击穿别的元器件，再说你们工厂应该功率因数也补偿不好。我们公司是给客户专业提供谐波治理和动态无功补偿方案的，如需请联系，泰安海普电气科技有限公司 周振鹏13793807028
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20楼
智库 发表于 2011-7-26 23:56 1.你说的这个环境，和我过去调试的一个铝厂的情况很象，他们那里就是铝板轧制好后退火处理。2.换2800V可控 …哥们，你忘记还有一种叫模块型
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21楼
luosidao1234 发表于 2011-7-29 20:51 现在的可控硅质量有很大差距，建议楼主用襄樊硅 台基 岘峰 硅海等 都不错。上整的太贵不建议用。江苏的可控硅也不差的:lol
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