小弟新手，请教，4吋晶圆厂（芯片最小特征尺寸1.5μm),净室需要控制的环境参数，请各位高手指点。
小弟新手，请教，4吋晶圆厂（芯片最小特征尺寸1.5μm),净室需要控制的环境参数，请各位高手指点。
2楼
没有人气啊，自己顶一下。我这里的工程还可以来竞标的额:lol :lol :lol
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3楼
我觉得洁净度等级、控制粒径应是工艺来提要求为妥
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4楼
说得对，查过一些资料，环境参数一般控制在0.3u 百级，
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5楼
继续，温度22+-1度，相对湿度45+-5度，应该就可以了
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6楼
顶顶顶顶顶顶顶顶
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7楼
温湿度、洁净度这些都还好吧，关键是工艺上的一些要求会比较特别点。没实际做过晶圆厂，所以来学习！
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8楼
跟工艺有关的，黄光区就高一些，100级0.3，一般pvd,cvd什么的1000级就够了。
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9楼
有人气啊，自己顶一下。我这里的工程还可以来竞标的额
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10楼
我做过8寸晶圆的soi 工序。工序：注入-氧化-裂片-清洗-键合-测试。温湿度基本为23±1,45%±5%。最高净化级别为10级。给你参考
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11楼
这个和面板厂的环境条件差不多，面板厂的湿度一般设定在50%+-5%
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