本文在EDM机理与嵌入式技术领域最新研究成果的基础上,针对目前微细EDM加工中电源的研究现状,提出了一种新型的智能型EDM脉冲电源,该电源的脉间精度可以达到0.2μs,是一般的分立软件和集成电路所不能达到的,脉宽,脉间的大小可参数话,这些设置都是在软件中进行,并且采用FPGA设计具有可进行更新,保密性好。这种新型的脉冲电源,由于高电火花脉冲放电频率,从而提高加工精度。又因为HDL语言和FPGA技术的应用越来越广泛,所以这种智能的脉冲电源具有很好的通用性。
本文在EDM机理与嵌入式技术领域最新研究成果的基础上,针对目前微细EDM加工中电源的研究现状,提出了一种新型的智能型EDM脉冲电源,该电源的脉间精度可以达到0.2μs,是一般的分立软件和集成电路所不能达到的,脉宽,脉间的大小可参数话,这些设置都是在软件中进行,并且采用FPGA设计具有可进行更新,保密性好。这种新型的脉冲电源,由于高电火花脉冲放电频率,从而提高加工精度。又因为HDL语言和FPGA技术的应用越来越广泛,所以这种智能的脉冲电源具有很好的通用性。
软件编程实现
软件编程采用软件编译环境NIOS II IDE。Nios II IDE基于开放和可扩展的平台,不仅可以将通用用户界面和业界最好的开发环境完美结合,还能够与第三方工具无缝地集成在一起。Nios II IDE提供了完整的C/C++软件开发套件,包括编辑器、项目管理器和构建工具、调试器和兼容CFI(common flash interface)的Flash编程器。该系统不用用户修改任何代码即可进行系统移植。使Nios II开发者能很容易地在Nios II IDE中实现多任务软件开发。
软件的开发过程是在IDE中创建一个工程文件,工程所指定的硬件系统即是生成的.ptf文件。新的工程将包括2个库,一个是用户的API库,另一个是系统库,系统的库中包含了用户进行软件编程时需要的各种头文件、驱动程序等。在用户库中可以使用C/++或者是汇编语言编写脉冲参数的实现功能,在写好后就可以对软件工程进行编译、调试得到希望的结果后就可以软件的工程文件.elf下载到开发器件上。如果需要调整脉冲、脉间的参数,则可以在NIOS IDE中对脉宽与脉间的比例以及周期长度进行修改。同时通过对I/O口输出的高低电平,可以控制每一路大功率管的关断与否,从而做到了电流大小的控制,具有非常高的灵活性。这样可以得到新的适合进行粗、中精、精加工的脉冲序列。
系统仿真
我们可以对设计的系统的功能进行仿真,以验证功能是否满足要求。软件文件下载到开发板后对电路进行仿真的结果。可以看到脉宽pulse_duraTIon_TIme与脉间pulse_interval_TIme的比例参数,以及控制寄存器的值,同时还可以看到该系统的输入时钟的周期长度,放电脉冲的周期长度等信息。
外部电路设计
外部电路主要包括直流电源、隔离放大电路、高速开关电路、保护电路。直流电源电路是市电经过变压器、整流桥路电路、电容滤波电路输出的,输出的电压有+80 V和120 V两种,分别用于粗加工和精加工。脉冲发生器的PWM用来控制高频开关管,为了防止脉冲发生器的烧坏,要将FPGA开发板与开关管电路隔离开来,而电源的频率很高,普通光耦的会产生波形畸变,所以采用的是25M的高速光耦PC412S。开关管采用的是VMOS,使用它的好处是开关的频率高,能够承受的电流和电压都比较大,但要使用输入电容较小的VMOS,否则会影响电源关断的速度。
Q1的基极是从FPGA开发板经过光耦输出的PWM脉冲信号,通过后面的驱动电路来驱动Q5,从而实现放电加工电路中采用正负电源,这样可以提高Q5的关断速度。Q2是小功率的VMOS管,Q3和Q是用来驱动大功率的VMOS,所以功率不能选太小,R3与R4是用来减小系统波形的振荡,其阻值不能太大,可选取100 Ω。