W971GG6JB是一个1G位的DDR2SDRAM，由8,388,608个单词8个银行16位组成。该设备实现了高速传输速率高达1066Mb/秒/引脚(DDR2-1066)的各种应用。W971GG6JB分为以下等级部分:-18、-25、25、25I、25A、25K、-3、-3A。18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。25/25/25I/25A/25K级零件符合DDR2-800(5-5-5)规范(保证25级零件在商业温度下支持dd2p=7mA,IDD6=4mA，保证25I级工业零件支持-40℃≤TCASE≤95℃)。-3/-3A级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。
W971GG6JB是一个1G位的DDR2SDRAM，由8,388,608个单词8个银行16位组成。该设备实现了高速传输速率高达1066Mb/秒/引脚(DDR2-1066)的各种应用。W971GG6JB分为以下等级部分:-18、-25、25、25I、25A、25K、-3、-3A。18级部件符合DDR2-1066(6-6-6)规范。25/25/25I/25A/25K级零件符合DDR2-800(5-5-5)规范(保证25级零件在商业温度下支持dd2p=7mA,IDD6=4mA，保证25I级工业零件支持-40℃≤TCASE≤95℃)。-3/-3A级部件符合DDR2-667(5-5-5)规范。
W971GG6JB-25特性：
电源供应:VDD,VDDQ=1.8V±0.1V
Doube数据速率架构:每个cockcyce传输两个数据
CAS登记号:3,4,5,6和7
爆破强度:4和8
双向、差分数据频闪(DQS和DQS)与数据一起传输/接收
使用读数据进行边缘代理，使用中心代理，使用写数据进行中心代理
daignsDQ和DQS转换与旋塞
压差旋塞输入(CK和CK)
用于写数据的数据掩码(DM)
在每个正CK边、数据和数据掩码上输入的命令都引用到DQS的两个边
发布的CAS编程支持加法，以提高命令和数据总线的效率
Readatency=addatencypusCASatency(R=A C)
片外驱动阻抗调整(OCD)和模上终止(ODT)，以获得更好的信噪比
自动预充电操作的读写突发
自动刷新和Sef刷新模式
预充电断电和有功断电
写入数据面具
写atency=读atency-1(W=R-1)
接口:SST_18
包装在WBGA84Ba(8X12.5mm2)，使用无ead材料与RoHScompiant
