首先，处于正偏状态的发射结，e区多子b区多子很容易各自向相反的方向扩散。这股移动基本上是电子流，也就是我们所说的发射极电流Ie，由于基区很薄，且集电结反偏大部分电子越过基区进入集电结形成Ic，剩下少量电子在基区与空穴复合，被复合的空穴由基极电源提供，形成Ib。得Ie=Ib+Ic。我的疑惑在于，集电结反置电压的作用是什么呢？仅仅是“使电子容易越过基区进入集电结”吗？自己没有电流产生吗？请求高人点拨，谢谢！