说的好！老百姓不会考虑节能与否，现在的节能产品是节能不省钱呀，如何推广要看政府了

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“新能源热”的冷思考
2006-6-29 信息来源:《中国证券报》

成本：沉重的翅膀


　　高成本是我国新能源发展中一个沉重的话题。

高成本来自多个方面：因为自主技术不成熟，我们要在设备购买上付出高成本；因为项目投资额大，融资渠道少，我们要在资金获取上付出高成本；因为太阳能产业“两头在外”，发展受制于人，我们要在决策风险上付出高成本；因为多晶硅能耗高污染大，我们要在环境保护和资源消耗上付出高成本……

上市公司要想在新能源产业展翅高飞，首先要把成本问题想清楚。否则，依靠一对沉重的翅膀，能不能起飞都将成为一个未知数。

　　期待科技创新

2005年我国在风电领域的投资达6亿美元，其中4亿多美元被外国风机商赚走。主要原因是自主技术不成熟，对进口风电设备依赖严重。在2005年国内风力发电设备新增市场份额中，国内产品仅占28％，多达72％的份额被进口产品占领。

在太阳能领域，问题更加严重。我国是世界太阳能电池生产大国，2005年全球太阳能电池总需求量是1500兆瓦-1700兆瓦，我国产能总量已达1000兆瓦。生产太阳能电池的基本原料高纯多晶硅的价格，2003年以来上涨了10倍，而我国95%的高纯多晶硅材料依赖进口，太阳能产业链上最“肥”的一段与我们无缘。

在一份《关于支持我国太阳能自主创新关键技术的建议》报告上，胡锦涛总书记的重要批示中有这样一句话:“太阳能是重要的可再生能源之一。推进科技创新，解决太阳能发电高成本问题是大规模开发利用太阳能的关键。”

这不仅道出了我国太阳能发电产业的真相，同时也指出了风能、生物质能等其他可再生能源发展的短板。尽管我们有着很大的可再生能源资源优势，可是几大关键技术却严重依赖国外：当前国际上流行的MW级先进风电机组、生物质直燃发电锅炉、太阳能光电所需要的多晶硅原料等，这些高技术含量、高附加值的设备和材料全部依赖进口，甚至进口还要受到限制。如果这种受制于人的局面不改变，降低可再生能源发电成本的愿望将成为空谈。

降低可再生能源发展成本，关键靠自主科技创新。而推进科技创新是一个复杂的系统工程，政府将在其中扮演极其重要的角色。但是还要看到，自主科技创新必然会有一个相对较长的周期，设备成本之重依然会拽住相关企业的“翅膀”。

有序才能发展

从1980年到2005年期间，国际风力发电成本下降幅度超过90%。但是，2005年我国风力发电设备平均价格，反而比2004年上涨了20%。

产业的无序状态加重了发展的负担，反过来会遏止产业的健康发展。2005年是我国《可再生能源法》出台的第一年，这一年我国风电总装机容量飙升了65%。当年全国建设了61个风电场，仅内蒙古自治区就批了176万千瓦风力发电项目。“跑马圈地”的风气在今年并没有收住的迹象。据不完全统计，全国今年实施的风力发电项目将超过300万千瓦。按这个速度，国家“十一五”规划提出的到2010年风电装机500万千瓦的目标将被大大突破，其结果显然是忧大于喜。

在项目集中上马的氛围下，技术受制于人的负面效应被放大，风电建设的成本被抬得更高。由于设备需求激增、国外风力发电机组供不应求，价格上涨也就成为必然的趋势。

在太阳能电池领域，硅材料价格一路飞涨也折射出产业投资的“一哄而上”。2005年，我国多晶硅的总需求仅为1500吨左右，而今年仅无锡尚德一家的需求就将超过3510吨。硅材料供需缺口的进一步扩大，必然使得国内太阳能电池厂商的成本继续上扬。无锡尚德2004年的毛利率为34.1%，而去年后两个季度的毛利率已下降为29.8%和26.5%。这已经足以说明问题。

一个行业的良性发展离不开政府的正确引导。可再生能源作为一个全新的产业，如何引导才能既保持健康有序又不压制竞争活力，政府还需要一个摸索的过程。上市公司在介入相关领域之前，应该对这个过程作出一个正确的判断，否则就可能为低水平恶性竞争而买单。

前景能否变“钱景”

仿佛是一夜之间，一些上市公司对新能源表现出了异乎寻常的浓厚兴趣。最近披露的有关公告显示，从太阳能电池、风力发电到燃料乙醇、煤炭液化、煤基醇醚乃至垃圾发电，都已经成为上市公司热烈追捧的对象。从已投入和拟投入的资金量来看，除天奇股份（002009）仅为500万元外，G粤电力（000539）为1.12亿元，G湘电（600416）超过4亿元，G天威（600550）天威英利太阳能电池三期工程拟投入资金甚至高达30亿元。
毫无疑问，由于传统能源的日渐枯竭，可再生能源产业将拥有越来越广阔的市场。专家预计，未来15年，我国仅风电这一块的市场容量就至少在1500亿元以上。但问题是，新增市场将成为谁的市场？产业发展前景是否一定意味着相关上市公司的盈利“钱景”？这些问题还值得仔细斟酌。

　　国际巨头唱主角

我国可再生能源的发展，可以说是“起了个大早，赶了个晚集。”

我国风能资源储量为32亿千瓦，可开发利用的风能约10亿千瓦，居世界首位。我国陆地每年接受的太阳辐射能相当于2.4万亿吨标准煤，太阳能开发利用空间极大。

1986年，我国第一个风电场在山东荣城并网。但是，到2005年底，我国风电总装机容量仅为126万千瓦，占世界风电总装机容量5898万千瓦的0.44%。我国太阳能光伏产业同样从上世纪80年代中期起步，20年来占世界产量的比重一直维持在1%。

可再生能源发展缓慢，技术上的制约是一个重要因素。风机是风电产业的关键，也是风电产业的主要利润来源。2005年我国新增风电装机容量49.8万千瓦，其风电机组70.3％的市场份额被4家外资企业包揽。国产风机占29.7%，比2004年的20%有较大增长，但是只有新疆金风科技一枝独秀（占26.6%）；其他国内企业合计占3.1%，而且有的只是样机，距离商业化尚远。

为了扶持本土风机产业，国家发改委去年出台文件，要求风电场建设中风电设备国产化率必须达到70%以上。这一政策使得国外风机巨头改变策略，由原来的直接输出产品改为与国内企业合作，但关键技术仍掌握在他们手里，利润的大头还是被他们拿走。

　　政策脉搏要把准

新能源产业热潮因政策而起，要想从中淘到真金，就离不开对国家产业政策的深刻领会。

首先要明确的一个问题是，国家对可再生能源的鼓励政策不断出台，但新能源并不等于可再生能源。财政部近日印发《可再生能源发展专项资金管理暂行办法》，提出了对可再生能源进行专项资金扶持的一系列措施。《办法》明确提出:“石油替代可再生能源开发利用，重点是扶持发展生物乙醇燃料、生物柴油等。生物乙醇燃料是指用甘蔗、木薯、甜高粱等制取的燃料乙醇。生物柴油是指用油料作物、油料林木果实、油料水生植物等为原料制取的液体燃料。”“可再生能源发电重点扶持风能、太阳能、海洋能等发电的推广应用。”

根据上述规定，涉足核能、煤变油、煤基醇醚燃料、以陈化粮为原料的燃料乙醇开发，以及垃圾发电、秸秆发电等“新”能源项目的公司，都将被排除在“发展专项资金”重点资助对象之外。

此外，天威英利计划投资30亿元，使太阳能电池组的产能从100兆瓦提高到600兆瓦，而每兆瓦需要17吨多晶硅。作为生产太阳能电池的主要原料，多晶硅在生产过程中需要消耗大量电力，同时产生比较严重的污染。所以，虽然多晶硅严重短缺，国家仍然审批极严。有专家指出，生产多晶硅所消耗的电力，甚至比其生产出的太阳能电池能发的电还多。这意味着多晶硅产业在未来必将被能耗少、污染小的新技术产业所取代。上市公司介入这一产业，必须慎之又慎。（张德斌）

光伏是什么意思？

光伏技术可直接将太阳的光能转换为电能，用此技术制作的光电池使用方便，特别是近年来微小型半导体逆变器迅速发展，促使其应用更加快捷。

晶体硅光电池

晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结而制作成的，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷 光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反射膜、 凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为Φ10至20cm的圆片，年产能力46MW／a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发带状硅光电池技术，提高材料利用率。国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AM0条件约为13.5?18％，地面用大量生产的在AM1条件下多在11?18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替单晶硅，可降低成本，但效率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，切磨抛工艺，千方百计进一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6％。

非晶硅光电池

a-Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成的。由于分解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化 （0.5m×1.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层p in 等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。发展集成型a-Si光电池组 件，激光切割的使用有效面积达90％以上，小面积转换效率提高到14.6％，大面积大量生产的为8-10％，叠层结构的最高效率为21％。研发动向是改善薄膜特性，精确设计光电池结构和控制各层厚度，改善各层之间界面状态，以求得高效率和高稳定性。

多晶硅光电池

p-Si（多晶硅，包括微晶）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p-Si光电池转 换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7％，用CVD法制备的转换效率约为 12.6-17.3％。采用廉价衬底的p-Si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a-Si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8％和9.2％的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a-Si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％。大面积低温p-Si膜与-Si组成叠层电池结构，是提高a-S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜铟硒光电池
　CIS（铜铟硒）薄膜光电池已成为国际光伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2?3μm，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或 溅射成膜。阻碍其发展的原因是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩大开发规模，着手组建中试线及制造厂。

碲化镉光电池

CdTe（碲化镉）也很适合制作薄膜光电池，其理论转换效率达30％，是非常理想的光伏材料。可采用升华法、电沉积、喷涂、丝网印刷等10种较简便的加工技术，在低衬底温度下制造出效率12％以上的CdTe光电池，小面积CdTe光电池的国际先进水平光电转换率为15.8％，一些公司正深入研究与产业化中试，优化薄膜制备工艺，提高组件稳定性，防范Cd对环境污染和操作者的健康危害。

砷化镓光电池

GaAs（砷化镓）光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高 达29.5％（一般在19.5％左右），产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。以硅片作衬底，用MOCVD技术异质外延方法制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。

其它材料光电池

InP（磷化铟）光电池的抗辐射性能特别好，效率达17?19％，多用于空间方面。采用SiGe单晶衬底，研制出在AM0条件下效率大于20％的GaAs／Si异质结外延光电池，最高效率23.3％。Si／ Ge／GaAs结构的异质外延光电池在不断开发中，控制各层厚度，适当变化结构，可使太阳光中各 种波长的光子能量都得到有效利用，GaAs基多层结构光电池效率已接近40％。

怎么说我也不知道了！