求助:在用JTAG调试时遇到的几个问题
mj0009
mj0009 Lv.2
2010年04月26日 17:13:49
只看楼主

:L smart ARM2200里面有三个存储器:1:2M的NOR FLASH(SST39VF160);2:8M的PSRAM(MT45W4MW16);3:16M的NAND FLASH(K9F2808U0C)我想问问:1、当我们平时在用JTAG调试的时候,那些代码是不是放在1或者2,两个地区别是什么呢?2、当要把程序固化在产品上,是固化到3上吗?那时如果有嵌入式程序是靠1来装BootLoader引导程序吗?此时2有什么作用?

:L smart ARM2200 里面有三个存储器:
1 :2M
的NOR FLASH(SST39VF160);

2 :8M的PSRAM(MT45W4MW16);
3:16M 的NAND FLASH(K9F2808U0C)
我想问问:
1 、当我们平时在用JTAG调试的时候,那些代码是不是放在1或者2,两个地区别是什么呢?
2 、当要把程序固化在产品上,是固化到3上吗?那时如果有嵌入式程序是靠1来装BootLoader引导程序吗?此时2有什么作用?
3 、在芯片上的存储空间用来干什么呢?2210没有内部flash,它的程序放在3上吗?对于有内部flash的2214,是不是可以不用到1,内部的flash用来装BootLoader引导程序?
4 :如果是一个已经有了成功的程序,要固化在产品上用来生产,不用调试了,是不是不用到2(2210)或者不用到1和2(2214)?


谢谢了!!!




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