复合开关技术就是将可控硅与继电器接点并联使用,由晶闸管实现电压过零投入与电流过零切除,由继电器接点来通过连续电流,这样就避免了可控硅的导通损耗问题,也避免了电容器投入时的涌流。但是复合开关技术既使用可控硅、又使用继电器,于是结构就变得相当复杂,并且由于可控硅对dv/dt的敏感性也比较容易损坏。我所最新研制生产的同步开关(发明专利申请号:200910010913.0)采用了独具一格的同步开关专利技术,在不使用可控硅的前提下,使开关内的磁保持继电器完美地实现“电压过零投入,电流过零切除”操作。
但是复合开关技术既使用可控硅、又使用继电器,于是结构就变得相当复杂,并且由于可控硅对dv/dt的敏感性也比较容易损坏。
我所最新研制生产的同步开关(发明专利申请号:200910010913.0)采用了独具一格的同步开关专利技术,在不使用可控硅的前提下,使开关内的磁保持继电器完美地实现“电压过零投入,电流过零切除”操作。
与现在常用的复合开关相比较,省略了与磁保持继电器接点并联的可控硅组件,于是结构简化,成本降低,又避免了可控硅组件所容易出现的故障,因此可靠性大大提高。
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沈阳万思电力技术研究所