GaN Systems日前宣布，瑞萨电子公司的新型汽车48V/12V双向DC/DC转换器选择了其GaN（氮化镓）功率晶体管，从而显着提高了功率密度。新转换器采用GaN Systems的GS61008P，一种100V增强模式GaN-on-silicon功率晶体管，可将系统尺寸缩小46%。

  瑞萨解决方案针对需要高效48V/12V DC/DC转换器的48V轻度混合动力汽车和电动摩托车。GaN允许以高效率实现高开关频率——这意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。与使用Si-MOSFET相比，GaN Systems的GaN HEMT可将PCB面积缩小50%。

  新转换器的优势包括：

  通过利用GaN Systems晶体管的出色开关能力，PCB面积减少了46%，从而实现了具有500kHz高开关频率的高效电源转换器。这允许使用非常小的1.3H电感器，以显着减小尺寸和重量。

  在广泛的负载范围内具有高效率。GaN与自动相位下降功能相结合，即使在低负载下也能实现高效的功率转换，在400W至3kW的宽负载范围内功率效率超过94%。

  ISL78226 PWM控制器无需复杂的DC/DC转换器控制软件开发。

  半桥驱动器ISL78420/444提供了一种简单且具有成本效益的驱动GaN晶体管的方法。

  GaN首席执行官Jim Witham表示：“汽车客户一直在寻求功率密度和成本方面的改进，而这种设计再次反映了GaN在更小、更高效和更具成本效益的设计中可以显着提高功率密度。该设计来自瑞萨电子这一事实意义重大，因为他们是汽车半导体解决方案的市场领导者，在了解行业需求方面享有盛誉。这是将GaN技术的优势带给该客户群的重要一步。”

  虽然GaN在消费电子等行业具有重要的吸引力，但GaN正在成为混合动力和电动汽车中功率转换和电池充电的首选技术。GaN以非常低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能，从而可以经济高效地减轻各种电动汽车的重量并提高效率。