IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器?
whpssins
whpssins Lv.2
2021年12月14日 16:07:39
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IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。 IGBT测试难点: 1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。 2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。 3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是常见的功率器件,期间经常使用在强电流高电压的场景中,如电动汽车、变电站等。器件结构由MOSFET及BGT组合而成,兼具了高输入阻抗及低导通压降的优点,IGBT是电力电子设备的“cpu”,被国家列为重点研究对象。


IGBT测试难点:

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。

2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。

3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。

5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。

6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。


那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢?IGBT测试,一般需要多台仪表整合为成套测试系统,单独的一台源表,或者采集卡,并不能满足测试需要。不同的测试,需要不同的仪器仪表进行整合。如下为普赛斯产品,在不同测试中的使用情况,随着普赛斯产品的不断完善,后续会满足IGBT更多项目的测试。

测试项目

普赛斯产品

静态测试

E300高压程控电源

HCPL100高电流脉冲源

P300脉冲源表

PMST夹具箱

动态测试

E300高压程控电源

P300脉冲源表

A200高速采集卡


功率循环

A400采集卡




老化测试

E300高压程控电源




 

一、E300高电压源测单元

官网背景图.jpg

E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。



二、HCPL100型高电流脉冲电源

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HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(10uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。


 

三、P系列脉冲数字源表

脉冲源表背景1.jpg

P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。


 

总之,IGBT器件静态参数测试需要的仪器是一系列的,具体可以找生产厂家普赛斯仪表为您提供检测方案哦!



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