第一为了克服热载流子注入(HCI)效应而发展出漏端轻掺杂（LDD)工艺与结构，LDD结构可以降低器件漏端在沟道下的峰值电场强度，从而改善因器件长时间使用带来的载流子注入

造成器件的I-V特性漂移的问题。但是LDD结构结深很浅，在深亚微米技术中，LDD结构结深只有0.02um，源和漏端的LDD结构相当于两个“尖端”。如果把这种具有LDD结构的器件用

于设计输出缓冲级电路，ESD（Electro Static Discharge - ESD）很容易通过“尖端放电”击毁它们。

第二为了降低CMOS器件漏端、源端和栅端的接触电阻和薄层方块电阻，而发展出的精神硅化物Polycide和Silicide工艺；在更先进的工艺中把Silicide与Polycide一起制造，称为

Salicide工艺，它可以有效的提高集成电路的运算速度。Salicide工艺技术可以在有源区和多晶硅表面形成低阻的Salicide薄膜。如果发生ESD现象，ESD电流会首先沿着低阻的

Salicide薄膜流动，ESD的大电流会造成Salicide金属表层发热直接烧毁器件。

第三为了降低器件的阈值电压和工作电压，从而降低功耗和提升集成电路的运算速度，栅氧化层越来越薄。但是随着栅氧化层厚度的不断降低，它的击穿电压也不断降低，它更容

易被ESD损伤，因为很小的ESD电压就可以击穿栅氧化层。

第四为了不断提高器件的速度和频率，沟道长度不断按比例缩小，同时单个芯片的成本也会更低，但是沟道长度变小会使器件的源漏穿通电压变小，很容易产生ESD通路，并被ESD

电流烧毁。