一般开关电源控制芯片IC工作在非常靠近特性参数限值时，其重要的寄生参数不能忽略，而且还需要考虑温度变化因素。因为温度变化将影响效率，从而影响所需的占空比。

温度对开关电源效率的影响也是很难预期估计的，因此温度变化对占空比的影响也很难
估计。温度升高使有些损耗升高，而有些损耗降低。然而保守估算中，最少应考虑温度升高时对MOSFET管导通压降的影响。低压MOSFET（额定值约为30V），当开关管温度从室温到发热时，RDS(导通阻抗）一般将会增加30%~50%，故一般将室温下的导通阻抗乘以1.4便可得到发热时的导通阻抗。而通常用于离线式开关电源的高压MOSFET中，RDS增加达到80%~100%。所以在求取发热时的导通阻抗时，应乘以系数1.8。
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