半导体芯片的废水调试问题请教
wushuichuli88
2013年04月25日 14:31:28
来自于水处理
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  我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水 COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。 工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积 400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教:  1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;

  我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水 COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。
工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积 400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教:
  1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;
  2、运行中出现大量白色泡沫,泡沫是因为什么物质产生的,又是什么原因导致这类物质的产生,如何从根本上消除;
  3、接触氧化的负荷什么范围是合适的?负荷的高低,对应着系统的出水水质变化有什么样的关系?
  4、填料上大量红斑(票页)虫生长,其次是线虫,占据了填料附着物中的相当大部分,正常吗?谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的,请留下宝贵经验;
  5、出水水质混浊,滤纸过滤后,清澈,有大量细小絮体,难以沉降,什么原因导致,应采取什么措施?
  6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何?(系统进水中可能含有这类物质)
  请有经验的同行,发表你的看法。


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paqilai
2013年04月25日 14:33:11
2楼
  1、溶解氧控制在2mg/l的依据是什么,实践中的经验吗?对于活性污泥法这样是合适的,对于接触氧化合适吗?按照目前调试的情况,3-4mg/l的溶解氧有更好的效果。

  2、粘性物质是什么?为什么死亡就出现粘性物质?喷淋水、消泡剂都可以消除,但不是根本途径。

  3、系统处理量1200m3/day,目前处理量35m3/hr,负荷在1kgBOD/m3填料。

  4、线虫也是后生动物,好像逻辑不太对,后生动物数量那么大,正常吗?不正常,产生的原因是什么?

  5、浊度高,加混凝剂,加过滤都可以除去SS,但不生从根本解决,正常情况下难以沉降是不会产生的,我想问的是,什么东西难以沉降,这些物质如何产生的?

  6、甲苯的抑制浓度为7mg/l,工具书上专家说的,不知道专家自己做过试验没有,谁有这方面的实际经验?
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guowanling
2013年04月25日 18:50:49
3楼
很多细小胶体很难沉淀可以加助凝剂,是小的颗粒形成更大的颗粒
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高傲的孤独
2013年04月26日 08:12:33
4楼
:lol帮你顶一下
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