大体工艺流程是： MMF+ACF+RO+UV+EDI+初级抛光混床+UV+高级抛光混床+UF。 前段时间由于预处理问题导致EDI出水电阻不良。在2M左右持续了1个半月的时间，期间一直是抛光混床在顶。后来问题解决后EDI出水恢复至15M，抛光混床在2星期的时间内还未变化，两星期后出水电阻开始呈抛物线性失效下降，1个星期的时间初级抛光混床从18M+降到了17.8M而且还在下降.。。抛光树脂用的是UP6150的，本来想直接换掉的，台湾老板从高人那里听说6150能再生，金口一开就让兄弟出方案，但兄弟也只是听传说中有电再生抛光混床这一神技，不知道咱大陆有没有大神了解如何再生步骤，台湾小岛貌似对抛光再生看得很简单，说台湾一直在做，但又不给方案，着实恼人。
大体工艺流程是：
MMF+ACF+RO+UV+EDI+初级抛光混床+UV+高级抛光混床+UF。
前段时间由于预处理问题导致EDI出水电阻不良。在2M左右持续了1个半月的时间，期间一直是抛光混床在顶。后来问题解决后EDI出水恢复至15M，抛光混床在2星期的时间内还未变化，两星期后出水电阻开始呈抛物线性失效下降，1个星期的时间初级抛光混床从18M+降到了17.8M而且还在下降.。。抛光树脂用的是UP6150的，本来想直接换掉的，台湾老板从高人那里听说6150能再生，金口一开就让兄弟出方案，但兄弟也只是听传说中有电再生抛光混床这一神技，不知道咱大陆有没有大神了解如何再生步骤，台湾小岛貌似对抛光再生看得很简单，说台湾一直在做，但又不给方案，着实恼人。
另老板经高人指点，现在已经把高级抛光混床前的UV关掉了，说其增加了抛光混床得负担。
确实UV的杀菌及TOC的去除作用的大小有待商榷，但其氧化离子产物对混床的整体失效能起到多大的减少作用呢？而且关闭UV是副作用大还是正面效果好呢？请高手指点。
2楼
在下倒是听说过UP6150再生。
但老板吹的说台湾连6040也能再生让人难以相信，难道有什么办法能恢复其颗粒破损？
另打听到貌似台湾那边不是电再生，而是用特殊方法对抛光树脂进行分层再生。
求高手指点啊 。。
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3楼
这是一个好帖，可以达到物尽其用的目的。
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4楼
剖光混床的成分是嘛？可以考虑氧化树脂再生的。
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5楼
抛光树脂再生？额~~~~~
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6楼
可以再生，我们是送到台湾去再生的。
你们要自己做的话应该没那个设备和能力。
UV的问题要看你终端水质要求，如果两个都是254nm或者没有TOC要求可以关掉一个。
如果你的循环水是回到EDI后面的话，最好关EDI前面的UV，不然终端回路没杀菌了。
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7楼
6楼的朋友想问下你们再生的树脂型号是不是有要求阿，抛光树脂也分两种，你们再生是不是只是相对于电阻率达标就OK的？顺便问下你们送台湾是电再生么？
UV的事情我再给大家说详细点。
EDI前的UV是254主杀菌的。高级抛光混床前的是180主除TOC的。
现在两个都已关闭，原因就像前边说的台湾高人说会加重抛光混床的负担，如果只要求电阻率的话可以关掉。
我本人也检测了UV前后电阻率变化，
出水电阻率15M的情况下通过254UV后掉为11M。
后经过初级抛光拉到17.8M。再经过180UV掉为13M。再经过高级抛光拉到18M。
降解TOC后成离子或者生成氧化物后对混床的影响是能拉高电阻率呢还是更加恶化？
费解阿费解。反正现在是关了，看情况变化再给大家汇报吧。。。
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8楼
保持高度关注中~~~我发现我那个抛光混床，因为EDI不行，出水是9兆，然后经过新的抛光升到10兆。供应商说抛光混床只能进水15兆才可以用！这个垃圾树脂，争光国产货不行？？
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9楼
两种都有，具体再生的方式倒是没问过
再生好的树脂一般用在LED厂、太阳能薄膜厂这种要求不是太高的项目里。
开UV对抛光床是没好处的，如果系统没有细菌和TOC要求可以不开。
不知道你们是什么厂，用了两级混床一般对终端水的各种要求都会比较高吧
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10楼
恩 我们是LED基板厂,要求和LED厂差不多.主要是对电阻率有监控,要求控制到17.5,M以上.
艾,看来台湾的高人建议还是有用的....
我开始还怀疑是水里的菌量或TOC在前段没处理好,导致在后段UV里产生了过多的杀菌和裂解,导致纯水的离子和温度上升的较大使得其电阻率上升明显.
关于水温对电阻率影响.曾经在一次讨论会上听高人讲解过纯水温度上升对其电阻率的影响曲线,但感觉用在现实运行中温升25到27电阻率并没有特别明显的变化.
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11楼
前段UV杀菌我习惯加在一级RO前，不过很多人喜欢加在EDI前后
温度的话终端一般有换热器吧，不然水泵和UV都会导致升温，用水量小循环量大的话温度会持续上升
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