原理图如下附件：

1.瞬时过电流导致，看有可能加大IGBT容量吗
2.线路中有毛刺，导致击穿
3.驱动信号的电压是否稳定正常，驱动电路好吗

一般可控硅击穿多是由过电压造成的，检查一下回路及负荷是否有产生瞬时过电压的地方

你的垂熔变压器在KM01投切瞬间有可能会产生操作过电压，不知实际运行方式是怎么样的？有没有可能在升降电机运行过程中投切变压器？如果有的话，可以考虑过电压因素。

另楼上版主说的过电流也是一个原因，感觉你的可控硅额定电压电流参数裕度选的都不够大，变压器额定电流370，可控硅才500A。原来我们的控制柜用在电力系统的，回路600V，800A，用的可控硅是2500V，1600A的

损坏情况描述不详细，比如说可控硅是开机损坏或工作过程中损坏？损坏是否有规律等？

损坏可控硅除了元件本事选型或质量问题外，应该仔细检查电路过压、过流或散热不良和控制电路故障造成的。

只有找到故障问题的本质才能解决问题，一味的去更换元器件只会造成更大的损失。

阻容吸收网络有没有损坏变质？驱动信号能力是否过小？负载回路是否有负载？电网电压过高？散热条件完好吗？

在实际应用中往往因可控硅的离散性，设计值不能满足实际的情况而多次烧毁可控硅，感性负载的投切瞬间有可能产生高压损坏可控硅。可控硅的容量可以适当加大。

一般可控硅击穿多是由过电压造成的，检查一下回路及负荷是否有产生瞬时过电压的地方,可以加压敏电阻或阻容保护