随着半导体加工节点进一步推进，半导体中关键尺寸（CD）不断减小，对半导体检测技术提出了新的要求。在动态随机存储器（DRAM）芯片中出现了高深宽比的瓶状沟槽结构，对于该结构传统的测量方式无法对瓶状沟槽的