解扰电路之电路设计论文
1扰码和解扰原理 同步扰码的实质是让输入比特与随机数产生器所产生的一位随机比特进行异或来产生扰码的输出比特，其原理如图1所示。JESD204B协议规定的扰码方式需采用自同步扰码方式，自同步的扰码与解扰电路结构如图2所示。可见，对于自同步串行扰码，每次扰码输出都是由移位寄存器第13位和第14位比特进行异或，得到的结果再与输入比特值进行异或而得到的。由于传输层数据成帧之后，往往是以8位或16位数据进行并行传输的，所以必须在串行扰码的基础上，设计8位并行或16位并行的扰码与解扰电路。下面将在串行扰码表达式的基础上推导并行扰码的逻辑表达式。串行扰码每次只处理一个比特。在每个时钟周期，移位寄存器只移一位［3］。对于串行扰码，假设此刻输入比特是bn，输出比特是an，则移位寄存器s0中存储的比特是an－1，依此类推移位寄存器s14中存储的比特是an－15，因此an=bn+an－14+an－15。则下一个时刻的输入比特是bn+1，输出比特
电流测量之电路设计论文
1电流测量 电流测量通路使用继电器进行电流通断控制,在电流通路串联电阻,将电阻两端的差分电平与电流取样芯片AD8218的差分输入连接,AD8218放大增益为20V/V,具有出色的共模输入抑制能力,本设计采用80mV内部基准电压源,可对2A以下电流进行采样测量;AD7920是12位串行ADC芯片,具有输入过载保护功能,通过单片机对各通路进行选择,并根据芯片的串行时序进行数据通讯,电流测量通路示意图如图1。 2固化程序 本电路作为USB从设备,与计算机程序采用问询-应答的方式进行通讯。电路的USB通讯协议、电流测量等基本功能由单片机程序模块实现,各通路电流的轮询测量等逻辑功能由计算机程序编程实现。单片机程序除了对端口、时钟、寄存器等资源进行必要初始化之外,主要负责US
设备控制器电路设计论文
为判断设备应该工作在何种状态，通过检测USB总线上的状态及其持续时间来确定。因此程序中设计使用了两个计数器timer1和timer2，通过使用cleartimer1和cleartimer2两个变量来灵活控制两个计数器的计数，进而实现精确定时。图2为工作模式控制电路的状态转换图，主要实现4个主要功能：高速握手(highspeedhandshake、设备挂起(suspend)、挂起恢复(resume)、复位检测。 1高速握手 USB2.0设备连接到主机后，主机给设备供电并发送复位信号复位设备，之后设备进入全速模式工作，由图2所示在fullspeed状态检测到SE0(linestate[1:0]=00)持续2.5μs后,高速握手开始，设备控制器进入sendchirp状态，设备向主机发送一个持续时间大于1ms的K(linestat
多普勒频移电路设计论文
卫星信号的捕获作为整个接收机基带信号处理的前提，其捕获信号的准确与速度对后续的基带信号处理有至关重要的作用。接收机中信号的捕获可以认为是一个二维的搜索过程，包括从伪码相位方向的搜索和从多普勒频移方向的搜索[2]。其中从多普勒频移方向的搜索，由上述分析可知，多普勒频移的最大搜索范围是±10kHz，它通过本地产生载波，并调节本地载波的值与输入信号相乘，从而去除输入信号中的高频载波分量。MATLAB仿真结果如图1所示。图1为算法的验证示意图，横轴代表800个数据点，纵轴代表数据的值。图中基带数据信号为C/A码，调制信号为载波和C/A码调制后的信号，按照本设计算法，在本地产生的载波和信号中的载波频率相位均一致的情况下，解调结果如图1的第3个波形，为只含C/A码的基带数据；图中的第4个波形为本地载波与信号载波同相的情况下相乘但未做后续处理的结果；图中第5、6个波形为当本地载波为信号中载波频率一半时，需解调两次的结果。由该MATLAB仿真图可知，该算法设计方案是可行的。下面进行具体的
ABS系统与高速电路设计论文
1高速电路的概念 一般觉得倘若数字逻辑上的电路频率上升到甚至越过45MHz到50MHz并且作业时超越这个频率的电路已占整个电子系统的相关数值这样的电路就是高速电路。 2高速电路的分布 在运用高速电路时由于作业的次数增加频繁披长也就比较短了些。波长和线路的长短相近那我们一定要将信号看作电磁波的波动。换一种说法就是由集成电路方面转向分布电路方面。在研究高速电路中肩的地方需要运用电磁学的理论肖频率到达怎样的限度需要运用这个理论这是一个没法解决的问题。如此说来是不是就真的不可以解决?这也并不是这样还是有一个标准可以参考的:在信号发生变化时如果信号没有传送到最末端再反射回来那就可以想到电磁波的效应了。在研究传输线时应该牢记的一个点就是阻抗匹配”。阻抗匹配的意思就是信号输出、
电平转换器电路设计论文
1高压MOS管设计 扩展漏极漂移区是由轻掺杂的N阱形成，可以承受高电压。在漂移区等压线上均匀分布着电场减缓结构，可以提高其耐压值。为了提高栅漏之间的耐压漂移区上的厚场氧将场板提高。但导电沟道在薄栅氧的下面且器件的跨导与导电沟道有关，所以电场减轻结构不会影响器件的跨导，衬底和N阱之间的雪崩击穿电压和电场减缓结构的效果决定扩展漏极晶体管的额定电压。对此类器件设计需考虑以下参数：浓度和长坂长度、漂移区结深、长度等，器件耐压会随着漂移区长度的增加而逐渐上升，直到达到一定的值。外延层浓度、漂移区浓度和漂移区结深三者共同决定此值。值越大，外延层浓度应在保证源漏不穿通情况下尽量低。 2基于IP核低功耗单电源电平转换器设计 目前已经提出的电平转换器共有两类，分别是单电源转换器和双