ESD保护元件的对比分析及大电流性能鉴定_电路图
保护元件的对比分析及大电流性能鉴定在人们的日常工作生活中，静电放电(ESD)现象可谓无处不在，瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对手机、笔记本电脑等电子系统造成损伤。 对于电子系统设计人员而言，如果没有采取适当的ESD保护措施，所设计的电子产品就会有遭到损伤的可能。因此，电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受ESD的冲击，并继续正常工作。 议题内容： 保护方法常见ESD保护元件分类不同便携应用的ESD保护解决方案解决方案： 第一是标准ESD保护，满足大功率(高于100瓦第二是高速ESD保护，要求数据传输率更快第三个是超高速ESD保护保护方法为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内建ESD保护架构。不过，日趋缩小的CMOS芯片已经越来越不足以承受进行内部2kV等级的ESD保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出：真正有效的ESD保护是不能完全集成到CMOS芯片之中的！ 其次，也可以在物理电路设计方面下功