给大家介绍一下EMI抑制的相关操作。 20-30MHZ， ①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置； ②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值； ③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。 ④改变PCB LAYOUT； ⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感； ⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
给大家介绍一下EMI抑制的相关操作。
20-30MHZ，
①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；
②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
④改变PCB LAYOUT；
⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。
⑨可以用增大MOS驱动电阻.
30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。
①可以用增大MOS驱动电阻；
②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；
③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；
④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；
⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
