万级洁净室的 半导体,平面显示器,光电子等东莞洁净车间,尽管做了很多工作,但东莞洁净车间的静电问题仍然影响着生产安全和产品产量,影响着制造成本和效益,影响产品 的质量和可靠性。据国外工业专家估计,美国每年由于静电造成产品的损失平均在8-33%,还有人估计美国每年静电对电子工业毁损价值达100亿美元;日本 80年代曾对报废的电子产品进行分析,由ESD引起的损失占1/3。我国半导体、平面液晶显示、光电子等都起步较晚,但静电危害也时有发生,成品率较低。 而银行、证券公司、机要数据库、监控中心,电力调度室等等,若出现ESD就很容易引起干扰,数据遗失,情形就更严重了。
万级洁净室的 半导体,平面显示器,光电子等东莞洁净车间,尽管做了很多工作,但东莞洁净车间的静电问题仍然影响着生产安全和产品产量,影响着制造成本和效益,影响产品 的质量和可靠性。据国外工业专家估计,美国每年由于静电造成产品的损失平均在8-33%,还有人估计美国每年静电对电子工业毁损价值达100亿美元;日本 80年代曾对报废的电子产品进行分析,由ESD引起的损失占1/3。我国半导体、平面液晶显示、光电子等都起步较晚,但静电危害也时有发生,成品率较低。 而银行、证券公司、机要数据库、监控中心,电力调度室等等,若出现ESD就很容易引起干扰,数据遗失,情形就更严重了。
万级
洁净室静电库仑力
在 静电库仑力的作用下,吸附的粉尘、污物造成元器件增大泄漏或形成短路,使性能受损,成品率和可靠性大大下降。如粉尘粒径>100μm,铝线宽度约 100μm,氧化膜厚度在50μm时,最易使产品报废。现在线径更细,氧化膜很薄,粒径很小的尘粒子就会损害元器件,这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点 焊和封装等工艺过程中。
静电放电ESD
万级 洁净室ESD引起EMI其电磁波的前后峰较尖,信号强,相当于电路中几伏的能量,频率跨越几MH2甚几百MH2的强大噪声,可能引起元器件损坏,设备和传感器不正常工作,甚至引起设备死机。
ESD引起的EMI还会引发错误信号的输入,或发生锁存现象。如无尘车间中,将晶圆片的EMIF箱放在钢的手推车上,晶圆片的ESD会通过电感传给手推车,车轮是绝缘的,则EMI的扩散会引起晶圆片处理机死机。
电击人体
在 静电库仑力的作用下,吸附的粉尘、污物造成元器件增大泄漏或形成短路,使性能受损,成品率和可靠性大大下降。如粉尘粒径>100μm,铝线宽度约 100μm,氧化膜厚度在50μm时,最易使产品报废。现在线径更细,氧化膜很薄,粒径很小的尘粒子就会损害元器件,这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点 焊和封装等工艺过程中。
静电放电ESD
万级 洁净室ESD引起EMI其电磁波的前后峰较尖,信号强,相当于电路中几伏的能量,频率跨越几MH2甚几百MH2的强大噪声,可能引起元器件损坏,设备和传感器不正常工作,甚至引起设备死机。
ESD引起的EMI还会引发错误信号的输入,或发生锁存现象。如无尘车间中,将晶圆片的EMIF箱放在钢的手推车上,晶圆片的ESD会通过电感传给手推车,车轮是绝缘的,则EMI的扩散会引起晶圆片处理机死机。
电击人体
万级
洁净室元 器件的绝缘氧化膜被击穿,引线被烧断或线间熔断。若人体带上10KV(100PF)的静电荷,触摸器件脚时发生ESD,其向大地瞬间形成脉冲放电电流峰值 可达20A(10~100s),不要说高密度,细线径,薄SiO2膜的Lsi、Vlsi,就是一般IC、MOS都会遭受损坏。
一般说器件绝缘栅SiO2薄膜的耐压场强是E=(5-10)×106V/cm,如果器件SiO2膜厚度取1000,其器件输入脚施加50V-100V以上的静电压就将会被击穿,而人体带静电超过50V、100V是极平常的。
造成噪声、发射电磁波干扰
人体的ESD或对人体的ESD当超过人体电击极限电流5mA以上时,人都会有各种伤害感觉,造成工作人员的情绪不安,操作错误。
一般说器件绝缘栅SiO2薄膜的耐压场强是E=(5-10)×106V/cm,如果器件SiO2膜厚度取1000,其器件输入脚施加50V-100V以上的静电压就将会被击穿,而人体带静电超过50V、100V是极平常的。
造成噪声、发射电磁波干扰
人体的ESD或对人体的ESD当超过人体电击极限电流5mA以上时,人都会有各种伤害感觉,造成工作人员的情绪不安,操作错误。
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