接触氧化工艺调试中的一些疑问
npcp
npcp Lv.3
2005年08月22日 23:28:33
只看楼主

我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教: 1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;

我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教:
1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;
2、运行中出现大量白色泡沫,泡沫是因为什么物质产生的,又是什么原因导致这类物质的产生,如何从根本上消除;
3、接触氧化的负荷什么范围是合适的?负荷的高低,对应着系统的出水水质变化有什么样的关系?
4、填料上大量红斑(票页)虫生长,其次是线虫,占据了填料附着物中的相当大部分,正常吗?谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的,请留下宝贵经验;
5、出水水质混浊,滤纸过滤后,清澈,有大量细小絮体,难以沉降,什么原因导致,应采取什么措施?
6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何?(系统进水中可能含有这类物质)

请有经验的同行,发表你的看法。
我的QQ154169141 希望能成为你的朋友
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watertreator
2009年07月10日 14:22:43
75楼
楼主的资料果然很全面,学习中,感谢!
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suejune
2009年07月24日 10:47:30
76楼
虽然来得比较晚,但是看了还是受益匪浅。
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ce.zhangx
2009年07月30日 10:17:37
77楼
很有用:) ,先学习
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laocaicaoyong
2013年07月20日 22:58:48
78楼
我现在也在调,真的不挂膜,只能做SBR池暂时用着,COD去除率还是比较高的
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whfkhl
2013年08月25日 12:41:35
79楼
学习了,不错!
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