接触氧化工艺调试中的一些疑问

我目前在半导体芯片的废水的调试，废水的设计水量1200m3/hr，目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500，BOD=150-180，PH=3.5-4，氮，磷需另外投加。工艺流程：调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米（填料250立方米。采用立体填料）有以下问题，向各位请教：
1、接触氧化工艺，溶解氧控制的范围多少是合适的，在这个范围内，溶解氧高低相应会有什么影响，比如去除效率、出水的清澈度等等；
2、运行中出现大量白色泡沫，泡沫是因为什么物质产生的，又是什么原因导致这类物质的产生，如何从根本上消除；
3、接触氧化的负荷什么范围是合适的？负荷的高低，对应着系统的出水水质变化有什么样的关系？
4、填料上大量红斑（票页）虫生长，其次是线虫，占据了填料附着物中的相当大部分，正常吗？谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的，请留下宝贵经验；
5、出水水质混浊，滤纸过滤后，清澈，有大量细小絮体，难以沉降，什么原因导致，应采取什么措施？
6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何？（系统进水中可能含有这类物质）

请有经验的同行，发表你的看法。
我的QQ154169141 希望能成为你的朋友

wangjq0316@co163

2006年09月14日 16:35:54

52楼

单纯用BOD或COD计算好像都不太合理，反应的过程中不是还有硝化吗，也得耗氧呀，也应该计算进去的

yuqingman@co163

2006年09月23日 17:17:26

53楼

一般按削减量计算的风量都偏小的，在8～10左右！！一般设计估算的是15～20m3。生活污水中硝化是比较少的！！

liangsongxue

2006年11月26日 09:15:37

55楼

大家解释的非常的详细，我非常的高兴能看到大家踊跃的参与话题，感觉到这里的学习氛围很浓，我会经常来的

gdhydlbzzh

2006年12月21日 00:00:05

56楼

每KGBOD应是消耗O2为：1.2kg的，你已误差20%了。再者，接触氧化用气水比更合理。
气水比一般为5:1即可了。

npcp

2007年01月17日 13:08:30

57楼

已经离开这个行业，也很久没有来这个论坛了。我想大家如果在工作中能多问为什么，要把实践工作中得出的经验从理论的角度总结，才能灵活处理复杂的问题，万变不离其宗。每个人的实践经验总是有限的，这个论坛是很好的交流场所，多交流是大家共同提高的很好的手段。美国人写的一本《废水工程》有英文版和中文版两种，150RMB，很经典，有很多基础性的数据，感慨国内的很多书籍是为了出书而出书，人云亦云，相互抄袭，浪费大家的时间很精力，没有好的老师就没有好的学生，老师自己都弄不明白东西，怎么能够教导你呢。