接触氧化运行中的一些疑问
npcp
npcp Lv.3
2005年08月22日 22:05:37
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我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教:1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;

我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教:
1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相应会有什么影响,比如去除效率、出水的清澈度等等;
2、运行中出现大量白色泡沫,泡沫是因为什么物质产生的,又是什么原因导致这类物质的产生,如何从根本上消除;
3、接触氧化的负荷什么范围是合适的?负荷的高低,对应着系统的出水水质变化有什么样的关系?
4、填料上大量红斑(票页)虫生长,其次是线虫,占据了填料附着物中的相当大部分,正常吗?谁对接触氧化工艺生物相观测有实际经验的,请留下宝贵经验;
5、出水水质混浊,滤纸过滤后,清澈,有大量细小絮体,难以沉降,什么原因导致,应采取什么措施?
6、甲基苯类物质对生化系统的影响如何?(系统进水中可能含有这类物质)

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