2005/08/04 中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露,新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。 首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2-3个满足100-45纳米线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地,形成年产3000吨多晶硅的生产能力,以及进行6-8英寸SOI、SiGe/Si和应变硅材料示范工程建设。
中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露,新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。
首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2-3个满足100-45纳米线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地,形成年产3000吨多晶硅的生产能力,以及进行6-8英寸SOI、SiGe/Si和应变硅材料示范工程建设。
其次是半导体固体照明工程材料与器件。
到2010年实现半导体白光照明的产业化,形成由衬底材料、外延片、芯片、封装和产品应用的完整半导体白光照明产业链。
第三是平板显示材料与器件。“十一五”器件,实现大屏幕彩色PDP荧光粉、浆料和PDP显示器件产业化,三基色OLED发光材料和彩色OLED显示器件产业化,以及TN-LCD和TFT-LCD液晶材料及其偏光片产业化。此外,发展平板显示驱动电路IC和平板显示器件玻璃基板。
此外,“十一五”我国还将发展光电子材料、全固态激光材料、稀土功能材料、功能陶瓷材料、超级钢材材料与技术、航空航天用关键材料、核能工程材料、高速铁路以及汽车用材料、新型能源材料、生物医用材料、生态环境材料、海水淡化材料与技术、纳米材料与技术以及超导材料。
中国科学院半导体研究所王占国院士日前在第八届科博会中国可持续发展战略论坛上透露,新材料产业“十一五”规划将重点发展17类新材料。 <br> <br> 首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2-3个满足100-45纳米线宽集成电路需求的8英寸、12英寸硅单晶、晶片和外延片的高技术产业基地,形成年产3000吨多晶硅的生产能力,以及进行6-8英寸SOI、SiGe/Si和应变硅材料示范工程建设。 <br> <br> 其次是半导体固体照明工程材料与器件。 <br> <br> 到2010年实现半导体白光照明的产业化,形成由衬底材料、外延片、芯片、封装和产品应用的完整半导体白光照明产业链。 <br> <br> 第三是平板显示材料与器件。“十一五”器件,实现大屏幕彩色PDP荧光粉、浆料和PDP显示器件产业化,三基色OLED发光材料和彩色OLED显示器件产业化,以及TN-LCD和TFT-LCD液晶材料及其偏光片产业化。此外,发展平板显示驱动电路IC和平板显示器件玻璃基板。 <br> <br> 此外,“十一五”我国还将发展光电子材料、全固态激光材料、稀土功能材料、功能陶瓷材料、超级钢材材料与技术、航空航天用关键材料、核能工程材料、高速铁路以及汽车用材料、新型能源材料、生物医用材料、生态环境材料、海水淡化材料与技术、纳米材料与技术以及超导材料。
来源:建筑时报 【责编:李沫】 【审校:侯涛】