原因

反向电流的最常见原因，即反向偏置电压，就是输出上的电压要高于输入上的电压，从而使电流在系统中的流动方向与你希望的流动方向相反。图1中显示了这个情况。

图1：反向电流

VIN 由于功率损耗突然变为零，使得系统输出上的电压高于输入电压，这种情况是有可能发生的。或者是电源MUXing意外地导致了一个反向电压事件。

如何防止？

反向电流有可能损坏内部电路和电池等电源。事实上，甚至是电缆都有可能被损坏，连接器的性能也会被降低。这也是器件着火的原因，就是因为大电流导致功率耗散呈指数级别的上升。

保护功能需要将反向电流保持在非常低的水平上。这意味着对于反向电压的限制。有三种常用的方法可以防止反向电流：设计一个使用二极管、FET或负载开关的系统。

二极管

二极管与FET相比，它的成本更低，更易于集成。它们非常适合于高压、低电流应用。

然而，如果你曾经使用过二极管的话，你一定非常熟悉它所导致的正向压降，而这会缩短电池使用寿命，并且使VCC（通常情况下）大约下降0.6-0.8V。

这个压降会降低电源电路的效率，并且增加系统的总体功率耗散。

基于这些原因，肖特基二极管是常见的替代器件；它们的正向压降更低。不过，它们也更加昂贵，且具有更高的反向电流泄露，而这会导致系统问题。

图2显示的是系统中的一个用来阻断反向电流的二极管。

图2：二极管反向电流保护

FET

由于其低正向电压和高电流处理能力，FET会在你必须保持较低功率耗散时提供帮助。

对于一个放置在接地路径中的N类型金属氧化物半导体 (NMOS) FET来说，你使体二极管的方向与正常电流流向保持一致。

通过使用这种方法，如果有人错误地安装了电池，栅极电压为低电平，这就防止了FET接通。然而，当电池安装正确时，栅极电压为高电平，它的通道短接至地。

为了在FET关闭时阻断两个方向上的电流，你还可以将FET背靠背连接。

与二极管解决方案相比，电源到负载的压降更低，不过这种实现方式占用了大量的电路板面积。

图3显示了用来阻断反向电流的背靠背FET示例。

图3：用双FET实现的反向电流阻断

负载开关

TI负载开关是用来接通和关闭电源轨的集成电子中继器。

大多数基本负载开关采用小型集成封装，由四个引脚组成：输入电压、输出电压、使能、和接地，并且包含多重特性，其中有反向电流保护。

图4显示了一个用来阻断反向电流的负载开关。

图4：负载开关反向电流保护

有数个原因会导致反向电流，VIN的突然损耗，或者是电源MUXing中的突发事件。

这会导致系统损坏，甚至会损坏电源。TI负载开关可以成为管理反向电流的一个尺寸、成本都很合适的解决方案。